| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STF11NM65N |
| Código de Pieza EBEE | E8500970 |
| Paquete | TO-220FP |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 11A 0.455Ω@10V,5.5A 110W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3491 | $ 1.3491 |
| 10+ | $1.1502 | $ 11.5020 |
| 50+ | $1.0402 | $ 52.0100 |
| 100+ | $0.9177 | $ 91.7700 |
| 500+ | $0.8627 | $ 431.3500 |
| 1000+ | $0.8379 | $ 837.9000 |
| 2000+ | $0.8272 | $ 1654.4000 |
| 4000+ | $0.8219 | $ 3287.6000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STF11NM65N | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 11A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.455Ω@10V,5.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2.9pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 800pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 29nC@520V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3491 | $ 1.3491 |
| 10+ | $1.1502 | $ 11.5020 |
| 50+ | $1.0402 | $ 52.0100 |
| 100+ | $0.9177 | $ 91.7700 |
| 500+ | $0.8627 | $ 431.3500 |
| 1000+ | $0.8379 | $ 837.9000 |
| 2000+ | $0.8272 | $ 1654.4000 |
| 4000+ | $0.8219 | $ 3287.6000 |
