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STMicroelectronics STF10N65K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STF10N65K3 |
| Código de Pieza EBEE | E8165615 |
| Paquete | TO-220FP |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 10A 35W 0.75Ω@10V,3.6A 4.5V@100uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STF10N65K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.75Ω@10V,3.6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 35W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@100uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 14pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.18nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 42nC@520V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
