Recommonended For You
51% off
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos

STMicroelectronics STD8N60DM2


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
STD8N60DM2
Código de Pieza EBEE
E8457504
Paquete
DPAK
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
600V 8A 85W 550mΩ@10V,4A 3V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>
101 En Stock para Envío Rápido
101 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$0.7153$ 0.7153
10+$0.5981$ 5.9810
30+$0.5337$ 16.0110
100+$0.4608$ 46.0800
500+$0.4282$ 214.1000
1000+$0.4142$ 414.2000
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Hoja de DatosST STD8N60DM2
RoHS
RDS (on)550mΩ@10V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)0.89pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation85W
Drain to Source Voltage600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance449pF
Gate Charge(Qg)13.5nC@480V

Guía de compra

Expandir