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STMicroelectronics STD4NK80Z-1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD4NK80Z-1 |
| Código de Pieza EBEE | E8457496 |
| Paquete | TO-251 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 3A 3.5Ω@10V,1.5A 25W 3V@50uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD4NK80Z-1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@50uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 13pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 575pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 22.5nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
