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STMicroelectronics STD45N10F7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD45N10F7 |
| Código de Pieza EBEE | E8118269 |
| Paquete | TO-252-2(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 45A 60W 18mΩ@10V,22.5A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4628 | $ 4.4628 |
| 10+ | $3.9391 | $ 39.3910 |
| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD45N10F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 45A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 18mΩ@10V,22.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 60W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.64nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
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| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
