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STMicroelectronics STD3N95K5AG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD3N95K5AG |
| Código de Pieza EBEE | E8672300 |
| Paquete | DPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 950V 2A 4.3Ω@10V,1A 45W 5V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3768 | $ 2.3768 |
| 10+ | $2.0590 | $ 20.5900 |
| 30+ | $1.8621 | $ 55.8630 |
| 100+ | $1.6580 | $ 165.8000 |
| 500+ | $1.5660 | $ 783.0000 |
| 1000+ | $1.5262 | $ 1526.2000 |
| 2500+ | $1.5081 | $ 3770.2500 |
| 5000+ | $1.4955 | $ 7477.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD3N95K5AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 950V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.3Ω@10V,1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 45W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@100uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 105pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 3.4nC@760V |
Guía de compra
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| 30+ | $1.8621 | $ 55.8630 |
| 100+ | $1.6580 | $ 165.8000 |
| 500+ | $1.5660 | $ 783.0000 |
| 1000+ | $1.5262 | $ 1526.2000 |
| 2500+ | $1.5081 | $ 3770.2500 |
| 5000+ | $1.4955 | $ 7477.5000 |
