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STMicroelectronics STD2NK100Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD2NK100Z |
| Código de Pieza EBEE | E8183635 |
| Paquete | TO-252-2(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1kV 1.85A 8.5Ω@10V,900mA 70W 4.5V@50uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9684 | $ 0.9684 |
| 10+ | $0.7892 | $ 7.8920 |
| 30+ | $0.6989 | $ 20.9670 |
| 100+ | $0.6102 | $ 61.0200 |
| 500+ | $0.5569 | $ 278.4500 |
| 1000+ | $0.5304 | $ 530.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD2NK100Z | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 1.85A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.5Ω@10V,900mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 70W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@50uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 499pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 16nC@10V |
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| 10+ | $0.7892 | $ 7.8920 |
| 30+ | $0.6989 | $ 20.9670 |
| 100+ | $0.6102 | $ 61.0200 |
| 500+ | $0.5569 | $ 278.4500 |
| 1000+ | $0.5304 | $ 530.4000 |
