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STMicroelectronics STD18NF25
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD18NF25 |
| Código de Pieza EBEE | E8183634 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 250V 17A 110W 0.14Ω@10V,8.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5224 | $ 4.5224 |
| 10+ | $3.9680 | $ 39.6800 |
| 30+ | $3.6393 | $ 109.1790 |
| 100+ | $3.3051 | $ 330.5100 |
| 500+ | $3.1516 | $ 1575.8000 |
| 1000+ | $3.0830 | $ 3083.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD18NF25 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 250V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 17A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.14Ω@10V,8.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 28pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 29.3nC@200V |
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|---|---|---|
| 1+ | $4.5224 | $ 4.5224 |
| 10+ | $3.9680 | $ 39.6800 |
| 30+ | $3.6393 | $ 109.1790 |
| 100+ | $3.3051 | $ 330.5100 |
| 500+ | $3.1516 | $ 1575.8000 |
| 1000+ | $3.0830 | $ 3083.0000 |
