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STMicroelectronics STD18N55M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD18N55M5 |
| Código de Pieza EBEE | E8183258 |
| Paquete | TO-252-2(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 550V 16A 110W 192mΩ@10V,8A 5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD18N55M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 550V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 192mΩ@10V,8A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.26nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 31nC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
