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STMicroelectronics STD12N60DM2AG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD12N60DM2AG |
| Código de Pieza EBEE | E8495234 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STD12N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 430mΩ@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 614pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
