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STMicroelectronics STB80N20M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB80N20M5 |
| Código de Pieza EBEE | E82971202 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 61A 190W 23mΩ@10V,30.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB80N20M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 108nC@10V |
Guía de compra
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