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STMicroelectronics STB75NF20
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB75NF20 |
| Código de Pieza EBEE | E82970286 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 75A 34mΩ@10V,37A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4516 | $ 3.4516 |
| 10+ | $3.3635 | $ 33.6350 |
| 30+ | $3.3048 | $ 99.1440 |
| 100+ | $3.2461 | $ 324.6100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB75NF20 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 75A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 34mΩ@10V,37A | |
| Disipación de energía (Pd) | 190W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3.26nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 84nC@10V |
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|---|---|---|
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| 10+ | $3.3635 | $ 33.6350 |
| 30+ | $3.3048 | $ 99.1440 |
| 100+ | $3.2461 | $ 324.6100 |
