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STMicroelectronics STB45N30M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB45N30M5 |
| Código de Pieza EBEE | E8500943 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 300V 53A 0.04Ω@10V,26.5A 250W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.2422 | $ 12.2422 |
| 10+ | $10.8826 | $ 108.8260 |
| 30+ | $10.0536 | $ 301.6080 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB45N30M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 300V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 53A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.04Ω@10V,26.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 9.5pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.24nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 95nC@240V |
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| 10+ | $10.8826 | $ 108.8260 |
| 30+ | $10.0536 | $ 301.6080 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
