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STMicroelectronics STB43N60DM2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB43N60DM2 |
| Código de Pieza EBEE | E85268671 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 34A 250W 0.085Ω@10V,17A 3V@250uA D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0504 | $ 3.0504 |
| 200+ | $1.1816 | $ 236.3200 |
| 500+ | $1.1403 | $ 570.1500 |
| 1000+ | $1.1187 | $ 1118.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB43N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 34A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.085Ω@10V,17A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.5nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 56nC@10V |
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| 1000+ | $1.1187 | $ 1118.7000 |
