| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB42N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E83277503 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 33A 190W 70mΩ@10V,16.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.8003 | $ 18.8003 |
| 10+ | $17.9711 | $ 179.7110 |
| 30+ | $16.5347 | $ 496.0410 |
| 100+ | $15.2815 | $ 1528.1500 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB42N65M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@520V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.8003 | $ 18.8003 |
| 10+ | $17.9711 | $ 179.7110 |
| 30+ | $16.5347 | $ 496.0410 |
| 100+ | $15.2815 | $ 1528.1500 |
