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STMicroelectronics STB33N60DM6
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB33N60DM6 |
| Código de Pieza EBEE | E83277533 |
| Paquete | D2PAK(TO-263) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 25A 128mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 128mΩ@10V,12.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 190W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.75V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.5nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 35nC |
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| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
