| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB31N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E8500942 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 22A 150W 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5957 | $ 1.5957 |
| 10+ | $1.5620 | $ 15.6200 |
| 30+ | $1.5389 | $ 46.1670 |
| 100+ | $1.5177 | $ 151.7700 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB31N65M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Disipación de energía (Pd) | 150W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.865nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5957 | $ 1.5957 |
| 10+ | $1.5620 | $ 15.6200 |
| 30+ | $1.5389 | $ 46.1670 |
| 100+ | $1.5177 | $ 151.7700 |
