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STMicroelectronics STB30NF20
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB30NF20 |
| Código de Pieza EBEE | E8221448 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 30A 75mΩ@10V,15A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB30NF20 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.597nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
Guía de compra
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|---|---|---|
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| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
