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STMicroelectronics STB30NF10T4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB30NF10T4 |
| Código de Pieza EBEE | E8140377 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 35A 45mΩ@10V,15A 115W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB30NF10T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 35A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 115W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.18nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 55nC@10V |
Guía de compra
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
