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STMicroelectronics STB20N65M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB20N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E8495232 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 18A 0.16Ω@10V,9A 130W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB20N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.16Ω@10V,9A | |
| Disipación de energía (Pd) | 130W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.434nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 36nC@520V |
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|---|---|---|
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| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
