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STMicroelectronics STB18N60DM2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB18N60DM2 |
| Código de Pieza EBEE | E82965480 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 295mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Guía de compra
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