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STMicroelectronics STB180N55F3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB180N55F3 |
| Código de Pieza EBEE | E86829553 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 55V 120A 330W 3.5mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB180N55F3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,60A | |
| Disipación de energía (Pd) | 330W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 6.8nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 100nC@10V |
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| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
