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STMicroelectronics STB10LN80K5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB10LN80K5 |
| Código de Pieza EBEE | E8457512 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@100uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 0.25pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 15nC@640V |
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