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STMicroelectronics STB100N6F7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STB100N6F7 |
| Código de Pieza EBEE | E8165928 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STB100N6F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 100A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.98nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
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| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
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| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
