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SINEDEVICE SDM017G10DB
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SDM017G10DB |
| Código de Pieza EBEE | E829780690 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 40A 21W 14mΩ@10V,10A 1.9V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | SINEDEVICE SDM017G10DB | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 17mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 769pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
Guía de compra
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| 10+ | $0.3335 | $ 3.3350 |
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