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ROHM Semicon RT1E040RPTR
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RT1E040RPTR |
| Código de Pieza EBEE | E85739232 |
| Paquete | TSST-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 4A 45mΩ@10V,4A 1.25W 2.5V@1mA 1 Piece P-Channel TSST-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5037 | $ 0.5037 |
| 200+ | $0.2010 | $ 40.2000 |
| 500+ | $0.1944 | $ 97.2000 |
| 1000+ | $0.1910 | $ 191.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ROHM RT1E040RPTR | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@1mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1nF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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| 1000+ | $0.1910 | $ 191.0000 |
