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ROHM Semicon RT1A040ZPTR
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | RT1A040ZPTR |
| Código de Pieza EBEE | E86208391 |
| Paquete | TSST-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 12V 4A 30mΩ@4.5V,4A 1.25W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TSST-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9707 | $ 0.9707 |
| 200+ | $0.3887 | $ 77.7400 |
| 500+ | $0.3747 | $ 187.3500 |
| 1000+ | $0.3695 | $ 369.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ROHM RT1A040ZPTR | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 12V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@4.5V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@1mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.35nF@6V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| 500+ | $0.3747 | $ 187.3500 |
| 1000+ | $0.3695 | $ 369.5000 |
