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onsemi FDMS8570SDC
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDMS8570SDC |
| Código de Pieza EBEE | E83279580 |
| Paquete | PowerTDFN-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 25V 60A 59W 2.8mΩ@10V,28A 1.1V@1mA 1 N-channel PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDMS8570SDC | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 25V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,28A | |
| Disipación de energía (Pd) | 59W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.1V@1mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 94pF@13V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.825nF@13V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 42nC |
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| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
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| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
