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onsemi FDMS10C4D2N
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDMS10C4D2N |
| Código de Pieza EBEE | E8891044 |
| Paquete | PQFN-8(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 17A 4.2mΩ@10V,44A 125W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8127 | $ 3.8127 |
| 200+ | $1.4755 | $ 295.1000 |
| 500+ | $1.4246 | $ 712.3000 |
| 1000+ | $1.3992 | $ 1399.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDMS10C4D2N | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 17A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,44A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.5nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
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| 1000+ | $1.3992 | $ 1399.2000 |
