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onsemi FDMS0312S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDMS0312S |
| Código de Pieza EBEE | E8891041 |
| Paquete | PQFN-8(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 4.9mΩ@10V,18A 3V@1mA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8133 | $ 0.8133 |
| 200+ | $0.3154 | $ 63.0800 |
| 500+ | $0.3045 | $ 152.2500 |
| 1000+ | $0.2991 | $ 299.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDMS0312S | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 19A;42A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.9mΩ@10V,18A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.5W;46W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@1mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.82nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 46nC@10V |
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| 500+ | $0.3045 | $ 152.2500 |
| 1000+ | $0.2991 | $ 299.1000 |
