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onsemi FDMD8680
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDMD8680 |
| Código de Pieza EBEE | E8890989 |
| Paquete | PDFN-8(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 80V 66A 4.7mΩ@10V,16A 39W 4V@250uA 2 N-Channel PDFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8412 | $ 3.8412 |
| 10+ | $3.7406 | $ 37.4060 |
| 30+ | $3.6724 | $ 110.1720 |
| 100+ | $3.6059 | $ 360.5900 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDMD8680 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 80V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 66A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.7mΩ@10V,16A | |
| Disipación de energía (Pd) | 39W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 77pF@40V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 5330pF@40V |
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| 10+ | $3.7406 | $ 37.4060 |
| 30+ | $3.6724 | $ 110.1720 |
| 100+ | $3.6059 | $ 360.5900 |
