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onsemi FDD6796A
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDD6796A |
| Código de Pieza EBEE | E83281321 |
| Paquete | TO-252(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 25V 5.7mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6619 | $ 0.6619 |
| 200+ | $0.2555 | $ 51.1000 |
| 750+ | $0.2467 | $ 185.0250 |
| 1500+ | $0.2431 | $ 364.6500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDD6796A | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 25V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 20A;40A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.7mΩ@10V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3.7W;42W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.78nF@13V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 34nC@10V |
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| 1500+ | $0.2431 | $ 364.6500 |
