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onsemi FDC3535
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDC3535 |
| Código de Pieza EBEE | E8890870 |
| Paquete | SSOT-6 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 80V 2.1A 183mΩ@10V,2.1A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel SSOT-6 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.9149 | $ 8.9149 |
| 10+ | $8.6814 | $ 86.8140 |
| 30+ | $8.5251 | $ 255.7530 |
| 100+ | $8.3688 | $ 836.8800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDC3535 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 80V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 2.1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 183mΩ@10V,2.1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.6W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 880pF@40V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.9149 | $ 8.9149 |
| 10+ | $8.6814 | $ 86.8140 |
| 30+ | $8.5251 | $ 255.7530 |
| 100+ | $8.3688 | $ 836.8800 |
