| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NTE2385 |
| Código de Pieza EBEE | E85816578 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 500V 8A 125W 850mΩ@10V,4.8A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1404 | $ 18.1404 |
| 200+ | $7.2388 | $ 1447.7600 |
| 500+ | $6.9966 | $ 3498.3000 |
| 1000+ | $6.8780 | $ 6878.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | NTE Electronics NTE2385 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 120pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1404 | $ 18.1404 |
| 200+ | $7.2388 | $ 1447.7600 |
| 500+ | $6.9966 | $ 3498.3000 |
| 1000+ | $6.8780 | $ 6878.0000 |
