| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM50UM13SAG |
| Código de Pieza EBEE | E817673847 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 500V 335A 15mΩ@10V,167.5A 3.29kW 5V@20mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,047.6840 | $ 1047.6840 |
| 200+ | $418.0337 | $ 83606.7400 |
| 500+ | $404.0640 | $ 202032.0000 |
| 1000+ | $397.1626 | $ 397162.6000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 335A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 15mΩ@10V,167.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3.29kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@20mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 42.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 800nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,047.6840 | $ 1047.6840 |
| 200+ | $418.0337 | $ 83606.7400 |
| 500+ | $404.0640 | $ 202032.0000 |
| 1000+ | $397.1626 | $ 397162.6000 |
