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Microchip Tech APTM50DAM17G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM50DAM17G |
| Código de Pieza EBEE | E85589030 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 500V 180A 1.25kW 20mΩ@10V,90A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTM50DAM17G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 180A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@10V,90A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@10mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
