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Microchip Tech APTM10UM01FAG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM10UM01FAG |
| Código de Pieza EBEE | E85948971 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 860A 1.6mΩ@10V,275A 2.5kW 4V@12mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTM10UM01FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 860A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.6mΩ@10V,275A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.5kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@12mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 60nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 2.1uC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
