| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM10SKM02G |
| Código de Pieza EBEE | E87077517 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTM10SKM02G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 495A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@10mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5.9pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
