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Microchip Tech APTC80TDU15PG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTC80TDU15PG |
| Código de Pieza EBEE | E817188645 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTC80TDU15PG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 6 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| Disipación de energía (Pd) | 277W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3.9V@2mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.507nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
