| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTC80AM75SCG |
| Código de Pieza EBEE | E817205528 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 56A 568W 75mΩ@10V,28A 3.9V@4mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $910.4923 | $ 910.4923 |
| 200+ | $363.2928 | $ 72658.5600 |
| 500+ | $351.1531 | $ 175576.5500 |
| 1000+ | $345.1547 | $ 345154.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 56A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,28A | |
| Disipación de energía (Pd) | 568W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3.9V@4mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 9.015nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 364nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $910.4923 | $ 910.4923 |
| 200+ | $363.2928 | $ 72658.5600 |
| 500+ | $351.1531 | $ 175576.5500 |
| 1000+ | $345.1547 | $ 345154.7000 |
