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Microchip Tech APTC60DAM18CTG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTC60DAM18CTG |
| Código de Pieza EBEE | E87216514 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 143A 18mΩ@10V,71.5A 833W 3.9V@4mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTC60DAM18CTG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 143A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 833W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3.9V@4mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 1.036uC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
