| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT80M60J |
| Código de Pieza EBEE | E85554224 |
| Paquete | SOT-227B-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 84A 960W 55mΩ@10V,60A 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT80M60J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 84A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| Disipación de energía (Pd) | 960W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@5mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 245pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 24nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 600nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
