| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT8065SVRG |
| Código de Pieza EBEE | E83293007 |
| Paquete | TO-268 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 13A 280W 650mΩ@10V,13A 2V@1mA 1 N-channel TO-268 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5604 | $ 18.5604 |
| 200+ | $7.1829 | $ 1436.5800 |
| 500+ | $6.9309 | $ 3465.4500 |
| 1000+ | $6.8067 | $ 6806.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT8065SVRG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 650mΩ@10V,13A | |
| Disipación de energía (Pd) | 280W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@1mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 225pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3700pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 225nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5604 | $ 18.5604 |
| 200+ | $7.1829 | $ 1436.5800 |
| 500+ | $6.9309 | $ 3465.4500 |
| 1000+ | $6.8067 | $ 6806.7000 |
