| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT41M80B2 |
| Código de Pieza EBEE | E87077496 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 43A 1.04kW 210mΩ@10V,20A [email protected] 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $53.5414 | $ 53.5414 |
| 200+ | $21.3640 | $ 4272.8000 |
| 500+ | $20.6494 | $ 10324.7000 |
| 1000+ | $20.2974 | $ 20297.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT41M80B2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 43A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.04kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 8.07nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 260nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $53.5414 | $ 53.5414 |
| 200+ | $21.3640 | $ 4272.8000 |
| 500+ | $20.6494 | $ 10324.7000 |
| 1000+ | $20.2974 | $ 20297.4000 |
