| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT34F100L |
| Código de Pieza EBEE | E87459576 |
| Paquete | TO-264 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1kV 35A 400mΩ@10V,18A 1.135kW [email protected] 1 N-channel TO-264 MOSFETs ROHS |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $71.5297 | $ 71.5297 |
| 200+ | $28.5422 | $ 5708.4400 |
| 500+ | $27.5872 | $ 13793.6000 |
| 1000+ | $27.1167 | $ 27116.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT34F100L | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 35A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 400mΩ@10V,18A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.135kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 9.835nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 305nC@10V |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $71.5297 | $ 71.5297 |
| 200+ | $28.5422 | $ 5708.4400 |
| 500+ | $27.5872 | $ 13793.6000 |
| 1000+ | $27.1167 | $ 27116.7000 |
