| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT30M40JVR |
| Código de Pieza EBEE | E85569472 |
| Paquete | SOT-227B-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 300V 70A 40mΩ@10V,500mA 450W [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $109.2659 | $ 109.2659 |
| 200+ | $43.5980 | $ 8719.6000 |
| 500+ | $42.1412 | $ 21070.6000 |
| 1000+ | $41.4215 | $ 41421.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT30M40JVR | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 300V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 70A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 40mΩ@10V,500mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 450W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 10.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 425nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $109.2659 | $ 109.2659 |
| 200+ | $43.5980 | $ 8719.6000 |
| 500+ | $42.1412 | $ 21070.6000 |
| 1000+ | $41.4215 | $ 41421.5000 |
