| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT22F80B |
| Código de Pieza EBEE | E87453688 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 23A 500mΩ@10V,12A 625W 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8177 | $ 23.8177 |
| 200+ | $9.5049 | $ 1900.9800 |
| 500+ | $9.1859 | $ 4592.9500 |
| 1000+ | $9.0290 | $ 9029.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT22F80B | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 23A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@10V,12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 625W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@1mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 4.595nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8177 | $ 23.8177 |
| 200+ | $9.5049 | $ 1900.9800 |
| 500+ | $9.1859 | $ 4592.9500 |
| 1000+ | $9.0290 | $ 9029.0000 |
