| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APT12M80B |
| Código de Pieza EBEE | E87453685 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 13A 335W 800mΩ@10V,6A 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APT12M80B | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 800mΩ@10V,6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 335W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@1mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.47nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
