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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2310
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MDD2310 |
| Código de Pieza EBEE | E8427394 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 3A 350mW 500mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0355 | $ 0.3550 |
| 100+ | $0.0285 | $ 2.8500 |
| 300+ | $0.0246 | $ 7.3800 |
| 3000+ | $0.0223 | $ 66.9000 |
| 6000+ | $0.0203 | $ 121.8000 |
| 9000+ | $0.0192 | $ 172.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2310 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -50℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 19.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 247pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guía de compra
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| 100+ | $0.0285 | $ 2.8500 |
| 300+ | $0.0246 | $ 7.3800 |
| 3000+ | $0.0223 | $ 66.9000 |
| 6000+ | $0.0203 | $ 121.8000 |
| 9000+ | $0.0192 | $ 172.8000 |
