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GOODWORK 20N65F
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 20N65F |
| Código de Pieza EBEE | E85807888 |
| Paquete | ITO-220F |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 20A 0.35Ω@10V,10A 167W 2V@250uA 1 N-channel ITO-220F MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | GOODWORK 20N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.978nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
Guía de compra
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